Вчені з Китаю створили новий рекордний напівпровідниковий накопичувач, який здатен зберігати дані зі швидкістю один біт за 400 пікосекунд. Цей пристрій, названий PoX, є енергонезалежним і набагато швидшим за сучасні енергозалежні технології, такі як SRAM і DRAM. Вчені використовували алгоритми штучного інтелекту для оптимізації тестування та прискорення розвитку технології. Зараз вони працюють над тим, щоб перетворити цей пристрій на комерційний продукт. Результати дослідження були опубліковані у журналі Nature.
Опублікувати у
Технології
Китайські вчені представили найшвидший у світі носій флеш-пам’яті
Вам також може сподобатися
Більше від автора
Опублікувати у
Відео
Вебінар «Складання індивідуальної програми професійного розвитку державного службовця на 2026 рік»
Опубліковано
admin